Bachelorarbeit im Rahmen der Bachelorvertiefung "Technische Elektronik", 01.2011:
Diese Arbeit beschäftigt sich mit Stress-Engineering in MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).
Im ersten Abschnitt wird das Thema motiviert indem Probleme aufgezeigt werden, die sich bei der sukzessiven Verkleinerung der Gatelängen ergeben. Neben den mechanischen Spannungen, die durch STI (Shallow Trench Isolation) enstehen, werden gängige Techniken besprochen, mit denen mechanische Spannung im Kanal bewirkt werden kann. Danach wird ein empirischer und ein einfacher mathematischer Zusammenhang zwischen mechanischer Spannung und Elektronen-Beweglichkeit angegeben.
Der zweite Abschnitt beschäftigt sich mit der Auswertung einer Sentaurus TCAD Simulation, mit der einzelne Prozessschritte nachvollzogen werden können. Den Abschluss bildet eine Gegenüberstellung der Elektronen-Beweglichkeit im fertigen Device mit und ohne Stress-Engineering.